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电子元器件详细资料 » IC[18400] » FQD1N80TM
型号:FQD1N80TM类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
系列QFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)800V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C20 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7.2nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds195pF @ 25V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252-3
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
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深圳市珩瑞科技有限公司李小姐86-0755-82578309/18898790342
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