型号:FQD1N80TM | 类别:FET - 单 | 制造商:Fairchild Semiconductor |
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK |
系列 | QFET™ |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 20 欧姆 @ 500mA,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 7.2nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 195pF @ 25V |
功率_最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252-3 |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
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